云財經訊，盡管HBM自推出到登上半導體產業舞臺中心花費了近十年時間，但其迭代技術HBF或將以更快速度實現商業化和普及。據報道，SK海力士正與閃迪合作，致力于HBF標準的制定。該公司計劃最早于今年推出HBF1(第一代產品)樣品，該產品預計采用16層NAND閃存堆疊而成。除此之外，據“HBM之父”韓國科學技術院(KAIST)教授金正浩透露：“三星電子和閃迪計劃最快在2027年底或2028年初將HBF技術應用于英偉達、AMD和谷歌的實際產品中。”他補充道：“由于在研發HBM的過程中積累了豐富的工藝和設計技術，能將這些經驗應用于HBF設計中。因此HBF技術的研發速度會更快。”HBF即高帶寬閃存，其結構與堆疊DRAM芯片的HBM類似，是一種通過堆疊NAND閃存而制成的產品。金正浩認為，HBM與HBF就好比書房與圖書館。前者容量雖小，但使用起來方便；后者容量更大，但也意味著延遲更高。